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石墨盤定制


    GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。GaN材料的制備主要采用氣相外延生長的方法,石墨盤是外延生長GaN晶體的必備耗材。由于石墨材料在高溫、腐蝕性氣體環境下會發生腐蝕掉粉現象,從而將粉體雜質引入到單晶材料中。因此,涂覆高純度、均勻致密的保護涂層是解決該問題的唯一方法。經化學氣相沉積碳化硅涂層后的石墨盤具有耐高溫、抗氧化、純度高、耐酸堿鹽及有機試劑等特性,滿足高純度單晶生長環境的需要,國外已將其作為一種新耗材在MOCVD外延生長設備上大規模使用,但國內還沒有這一相關的產品。

      國防科技大學從2000年開始,一直致力于化學氣相沉積碳化硅涂層制備技術應用研究,突破了碳化硅涂層制備的各項關鍵技術,具備了大尺寸(直徑700mm)碳化硅涂層制備能力,獲得國家發明專利授權1項。本實驗室制備的碳化硅涂層的特點是:(1)高溫抗氧化:溫度高達1600℃時抗氧化性能仍然非常好;(2)純度高、均勻、致密、顆粒細、無缺陷;(3)耐沖刷;(4)抗腐蝕性:耐酸、堿、鹽及有機試劑。該技術在石墨盤方面具有很好的推廣應用前景。

     碳化硅涂層石墨盤是各半導體廠家必不可少的耗材,目前,該產品全部依賴進口,價格昂貴,且受制于人。因此,本實驗室開發的碳化硅涂層石墨盤技術一旦實現產業化,將對我國的半導體行業具有重要的戰略意義和市場經濟價值。

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